03 2021 档案
摘要:4位sar adc采用下图的CDAC,此次讨论参考电压的选取为一般情况下(VrefP>VrefN),没有设定V=0这个条件。 V+=Vin,假设\frac{11}{16}(V_-V_)+V_<V_<\frac{12}{16}(V_-V_)+V_ 分析
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摘要:3位sar adc采用下图的电容阵列,电路如下图:所有电容的正端(也称为上极板)与比较器的同相端连接,比较器反相端接gnd,其工作过程进行大致分析见之前的文章《一种3位sar adc工作过程推导(二)》,下面对这个电路进行仿真验证。 两个参考电压V_和V_,\(V_{-}=V_{vrefN}
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摘要:Symbol: vcvs (Voltage Controlled Voltage Source) Vop−Von=egain⋅(Vip−Vin) 所以可以得出 \(\Longrightarrow V_{op}=egain\cdot(V_{ip}-V_{in})
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摘要:Symbol: switch A,B:等效于一个电阻; C,D:等效于控制开关(CD间的控制电压控制AB的断开或闭合); open switch resistance:开关断开状态下的等效电阻(AB之间); close switch resistance:开关闭合状态下的等效电阻(AB之间); op
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摘要:3位sar adc采用下图的电容阵列,需要23个电容,它的基本单元有二进制加权的电容阵列、1个与LSB电容等值的电容;它利用电容上的初始电荷再分配完成二进制搜索算法,因此功耗一般比较小,而且不需要额外的采样保持电路1。 上一篇文章《一种4位sar adc工作过程推导(二)》讨论了两个参考电压Vref
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摘要:3位sar adc采用下图的电容阵列,需要23个电容,它的基本单元有二进制加权的电容阵列、1个与LSB电容等值的电容;它利用电容上的初始电荷再分配完成二进制搜索算法,因此功耗一般比较小,而且不需要额外的采样保持电路1。所有电容的正端(也称为上极板)与比较器的反相端连接,比较器同相端接gnd,下面对其
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摘要:4位sar adc采用下图的CDAC,下面对其工作过程进行大致分析,这次4位sar adc与上一篇文章《一种4位sar adc工作过程推导》结构相同,最主要的是参考电压范围的变化,之前的文章两个参考电压分别是V_=V_和V=0,此次讨论参考电压的选取为一般情况下(\(V_{refP}>V_
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摘要:4位sar adc采用下图的CDAC,下面对其工作过程进行大致分析 Vcm=12Vref,V−=Vcm,假设\frac{11}{16}V_<V_<\frac{12}{16}V_ 分析过程: step1: ϕ1开关闭合,比较
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